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[毫米波资料] 毫米波单片低噪声放大器的研制

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新浪微博达人勋

发表于 2012-11-1 17:43:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
采用OMMIC 0.18um GaAspHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5mm x 1.0mm.测试结果表明,在28~40GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8dB、噪声系数最小2.73dB,达到预期目标。

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新浪微博达人勋

发表于 2013-1-26 21:05:26 | 显示全部楼层
大人,此事必有蹊跷!

新浪微博达人勋

发表于 2017-6-27 22:23:08 | 显示全部楼层
正是我想学习的。
发表于 2017-8-28 23:53:33 | 显示全部楼层
AAAAAAAAAAAAAAAAAAa

新浪微博达人勋

发表于 2020-3-2 22:11:51 | 显示全部楼层
kankanzenmeyang
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