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[资料] 【GaN PA】UMS GaN Process - GH25-10

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新浪微博达人勋

发表于 2018-7-21 22:39:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
笔者前文介绍过的Ericsson & MEC GaN PA,芯片均采用UMS FoundryGaN 工艺,即0.25μmAlGaN/GaN process GH25-10,今天笔者要分享的是UMSEuMW-2017上展示的PPT,题目为:A GaN on SiC 0.25 µm process for PAs, LNAs, andSwitches Design: good PDK is key
PPT首先简要介绍了UMS公司,包括业务范围(GaN& GaAs)2016年营业额(>8400万欧元)、员工数量(400),然后重点介绍了其代工服务:GaN HEMTGaAs pHEMTInGaP HBTMESFETSchottky,其中GaN工艺1(0.25um GaN HEMT)GaAs工艺6种、InGaP工艺2种、MESFET工艺1种、Schottky工艺1种、ULRC无源工艺1种。
PPT重点介绍了UMS0.25um GaNHEMT工艺,包括与CgsCgd、温度相关的非线性模型(NL),并展示了不同尺寸的GaN功率管在不同频率的性能,验证了该非线性模型的精准度。UMS可提供MwOGaN PDK,电路和版图完全对应,简化GaN MMIC的设计,感兴趣的读者可以申请。
后面笔者将写几篇文章,专门介绍UMS设计的GaN PA芯片,敬请期待!PPT文档如下所示:
RF-PA-Forum-2017-UMS-GaN-PDK_页面_01.png
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欲了解PA领域的最新进展,请关注本公众号:PApedia

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